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GPI65008DF56
零件编号：
GPI65008DF56
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
GaNPower
描述：
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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4
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    Die
  • 供应商器件封装
    Die
  • 场效应晶体管类型
    N-Channel
  • 技术
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    650 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    8A
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    6V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    1.4V @ 3.5mA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    2.1 nC @ 6 V
  • 最大栅源电压
    +7.5V, -12V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    63 pF @ 400 V
  • 最大功耗
    -
  • 场效应晶体管特性
    -
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