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G01N20LE
零件编号：
G01N20LE
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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0.53
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3.3
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0.21
21
500
0.16
80
1000
0.14
140
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供应商器件封装
    SOT-23-3
  • 场效应晶体管类型
    N-Channel
  • 技术
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    200 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    1.7A (Tc)
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    4.5V, 10V
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    700mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    2.5V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • 最大栅源电压
    ±20V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    580 pF @ 25 V
  • 最大功耗
    1.5W (Tc)
  • 场效应晶体管特性
    -
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