收藏 比较
CGD65B130S2-T13
零件编号：
CGD65B130S2-T13
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Cambridge GaN Devices
描述：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
立即购买 添加到购物车
库存 6455
最小 : 1
数量
单价
价格
1
7.23
7.23
10
4.89
48.9
100
3.67
367
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
    8-DFN (5x6)
  • 场效应晶体管类型
    -
  • 技术
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    650 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    9V, 20V
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    182mOhm @ 900mA, 12V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    4.2V @ 4.2mA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    2.3 nC @ 12 V
  • 最大栅源电压
    +20V, -1V
  • 场效应晶体管特性
    Current Sensing
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

提交

它是空的