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ALD1105PBL
零件编号:
ALD1105PBL
产品分类:
描述:
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14PDIP
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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库存 2022
最小 : 1
数量
单价
价格
1
7.68
7.68
50
4.16
208
100
3.82
382
500
3.25
1625
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    500mW
  • 工作温度
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 供应商器件封装
    14-PDIP
  • 技术
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    10.6V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    -
  • 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
    500Ohm @ 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
    1V @ 1µA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    3pF @ 5V
  • 配置
    2 N and 2 P-Channel Matched Pair
  • 场效应晶体管特性
    -