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IRFD110
Numéro de pièce：
IRFD110
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Vishay Siliconix
Description：
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Emballage：
Bulk
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
PDF:
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Enquête rapide
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Obsolete
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Through Hole
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Boîtier
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    4-HVMDIP
  • Type de FET
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    100 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    1A (Ta)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    540mOhm @ 600mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    180 pF @ 25 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    1.3W (Ta)
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

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