Collections Comparaison
IRF7106
Numéro de pièce：
IRF7106
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Infineon Technologies
Description：
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
RFQ Ajouter à la liste RFQ
En stock 1600
Veuillez envoyer une demande, nous vous répondrons immédiatement
Enquête rapide
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Obsolete
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Puissance - Max
    2W
  • Boîtier
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    8-SO
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    20V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    3A, 2.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    300pF @ 15V
  • Configuration
    N and P-Channel
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

Soumettre

C'est vide