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IRF620
Numéro de pièce：
IRF620
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Vishay Siliconix
Description：
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
PDF:
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Enquête rapide
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Obsolete
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Through Hole
  • Température de fonctionnement
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-220-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-220AB
  • Type de FET
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    200 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    5.2A (Tc)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    800mOhm @ 3.1A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    260 pF @ 25 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    50W (Tc)
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
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