Collections Comparaison
HTNFET-T
Numéro de pièce：
HTNFET-T
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Honeywell Aerospace
Description：
MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
Emballage：
Bulk
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
PDF:
RFQ Ajouter à la liste RFQ
En stock 1600
Veuillez envoyer une demande, nous vous répondrons immédiatement
Enquête rapide
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Through Hole
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 225°C (TJ)
  • Boîtier
    4-SIP
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    4-Power Tab
  • Type de FET
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    55 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    -
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 100mA, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.4V @ 100µA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    4.3 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    290 pF @ 28 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    50W (Tj)
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

Soumettre

C'est vide