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GT110N06S
Numéro de pièce：
GT110N06S
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Goford Semiconductor
Description：
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Emballage：
Cut Tape (CT)
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
1.14
1.14
10
0.71
7.1
100
0.47
47
500
0.36
180
1000
0.33
330
2000
0.3
600
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    8-SOP
  • Type de FET
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    60 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    14A (Tc)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 25 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    3W (Tc)
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

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