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GPIXV30DFN
Numéro de pièce：
GPIXV30DFN
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
GaNPower
Description：
GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
Emballage：
Bag
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
PDF:
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Enquête rapide
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    Die
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    Die
  • Type de FET
    N-Channel
  • Technologie
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    1200 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    30A
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    1.4V @ 3.5mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    8.25 nC @ 6 V
  • Vgs (Max)
    +7.5V, -12V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    236 pF @ 400 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    -
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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