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GE12047BCA3
Numéro de pièce：
GE12047BCA3
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
GE Aerospace
Description：
MOSFET 2N-CH 1200V 475A
Emballage：
Box
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Le minimum : 1
Quantité
Prix unitaire
Prix
1
2145
2145
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    AEC-Q101
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Puissance - Max
    1250W
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Boîtier
    Module
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    Module
  • Technologie
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    475A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.4mOhm @ 475A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4.5V @ 160mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    1248nC @ 18V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    29300pF @ 600V
  • Configuration
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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