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G12P03D3
Numéro de pièce：
G12P03D3
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Goford Semiconductor
Description：
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Emballage：
Cut Tape (CT)
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
0.89
0.89
10
0.55
5.5
100
0.36
36
500
0.28
140
1000
0.25
250
2000
0.23
460
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    8-PowerVDFN
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    8-DFN (3.15x3.05)
  • Type de FET
    P-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    30 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    24.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1337 pF @ 15 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    30W (Tc)
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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