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G01N20LE
Numéro de pièce：
G01N20LE
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Goford Semiconductor
Description：
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Emballage：
Cut Tape (CT)
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
0.53
0.53
10
0.33
3.3
100
0.21
21
500
0.16
80
1000
0.14
140
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    SOT-23-3
  • Type de FET
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    200 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    1.7A (Tc)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    580 pF @ 25 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    1.5W (Tc)
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
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