-
Statut de la pièce
Active
-
Grade
-
-
Qualification
-
-
Type de montage
Surface Mount
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
-
Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK-7L
-
Type de FET
N-Channel
-
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
-
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 500mA, 18V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
-
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 15 V
-
Vgs (Max)
18V
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
266 pF @ 1.2 kV
-
Dissipation de puissance (Max)
83W (Tc)
-
FET Caractéristique
-