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Statut de la pièce
Active
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Grade
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Qualification
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Type de montage
Surface Mount
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Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK-7L
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Type de FET
N-Channel
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Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
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Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
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Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
31A (Tc)
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Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 8A, 18V
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Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 20mA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 15 V
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Vgs (Max)
18V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1548 pF @ 800 V
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Dissipation de puissance (Max)
214W (Tc)
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FET Caractéristique
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