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FF06100J-7
Numéro de pièce：
FF06100J-7
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
fastSiC
Description：
SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
Emballage：
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
9.07
9.07
10
3.32
33.2
100
3.1
310
4000
3.02
12080
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    D2PAK-7L
  • Type de FET
    N-Channel
  • Technologie
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    650 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    20.6A (Tc)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 10A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.2V @ 14mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    43 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    18V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1000 pF @ 400 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    83W (Tc)
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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