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Spécifications
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Statut de la pièce
Active
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Grade
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Qualification
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Type de montage
Surface Mount
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Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
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Boîtier
Die
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Fournisseur Dispositif Emballage
Die
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Type de FET
N-Channel
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Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
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Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
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Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A (Ta)
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Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 500mA, 5V
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Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
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Vgs (Max)
+6V, -4V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
52 pF @ 20 V
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Dissipation de puissance (Max)
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FET Caractéristique
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