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EPC2016C
Numéro de pièce：
EPC2016C
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
EPC
Description：
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Emballage：
Cut Tape (CT)
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
3.4
3.4
10
2.22
22.2
100
1.54
154
500
1.33
665
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Not For New Designs
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    Die
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    Die
  • Type de FET
    N-Channel
  • Technologie
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    100 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    18A (Ta)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 11A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.5V @ 3mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    4.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    420 pF @ 50 V
  • Dissipation de puissance (Max)
    -
  • FET Caractéristique
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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