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CGD65B130S2-T13
Numéro de pièce：
CGD65B130S2-T13
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Cambridge GaN Devices
Description：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Emballage：
Cut Tape (CT)
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
7.23
7.23
10
4.89
48.9
100
3.67
367
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    8-PowerVDFN
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    8-DFN (5x6)
  • Type de FET
    -
  • Technologie
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    650 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    9V, 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    182mOhm @ 900mA, 12V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4.2V @ 4.2mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    2.3 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -1V
  • FET Caractéristique
    Current Sensing
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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