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CGD65A055S2-T07
Numéro de pièce：
CGD65A055S2-T07
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Cambridge GaN Devices
Description：
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Emballage：
Cut Tape (CT)
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
16.57
16.57
10
11.74
117.4
100
10.86
1086
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    16-PowerVDFN
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    16-DFN (8x8)
  • Technologie
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Tension Drain-Source (Vdss)
    650 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
    27A (Tc)
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    77mOhm @ 2.2A, 12V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4.2V @ 10mA
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
    6 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -1V
  • FET Caractéristique
    Current Sensing
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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