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Especificaciones
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Estado de la Pieza
Active
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Tipo de Montaje
Surface Mount
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Potencia - Máx
900mW
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Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Paquete / Carcasa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Proveedor Dispositivo Paquete
8-SOIC
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Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
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Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60V
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Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
3.5A
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3.5A, 10V
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Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
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Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
30nC @ 10V
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Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
345pF @ 25V
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Configuración
2 N-Channel (Dual)
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FET Característica
Logic Level Gate