Colección Comparación
GE12047BCA3
Número de pieza：
GE12047BCA3
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
GE Aerospace
Descripción：
MOSFET 2N-CH 1200V 475A
Embalaje：
Box
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1601
Mínimo : 1
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
2145
2145
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Active
  • Grado
    -
  • Calificación
    AEC-Q101
  • Tipo de Montaje
    Chassis Mount
  • Potencia - Máx
    1250W
  • Temperatura de Operación
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    Module
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    Module
  • Tecnología
    Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
    475A
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs
    4.4mOhm @ 475A, 20V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
    4.5V @ 160mA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
    1248nC @ 18V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
    29300pF @ 600V
  • Configuración
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Característica
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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