TPH3208LS
零件编号：
TPH3208LS
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Transphorm
描述：
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
- 最大功耗 96W (Tc)
- 最大栅源电压 ±18V
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 760 pF @ 400 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 130mOhm @ 13A, 8V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.6V @ 300µA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 14 nC @ 8 V
- 供应商器件封装 3-PQFN (8x8)
- 封装 / 外壳 3-PowerDFN