TPH3202LD
零件编号：
TPH3202LD
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Transphorm
描述：
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 600 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 9A (Tc)
- 最大栅源电压 ±18V
- 最大功耗 65W (Tc)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 350mOhm @ 5.5A, 8V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 760 pF @ 480 V
- 供应商器件封装 4-PQFN (8x8)
- 封装 / 外壳 4-PowerDFN