NH3T008MP120F2
零件编号：
NH3T008MP120F2
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
NoMIS Power
描述：
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 供应商器件封装 -
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 封装 / 外壳 Module
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 200A (Tc)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 技术 Silicon Carbide (SiC)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 100mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 530nC @ 20V