NC1M120C75RRNG
零件编号：
NC1M120C75RRNG
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
NovuSem
描述：
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 46A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 18V
- 供应商器件封装 TO-263-7L
- 最大栅源电压 +18V, -5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.3V @ 5mA
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 75mOhm @ 20A, 18V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1402 pF @ 1000 V
- 最大功耗 240W (Ta)
- 封装 / 外壳 TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)