NC1M120C12WDCU
零件编号：
NC1M120C12WDCU
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
NovuSem
描述：
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 Die
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
- 供应商器件封装 Wafer
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 20V
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 214A (Tc)
- 最大栅源电压 +22V, -8V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3.5V @ 40mA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 8330 pF @ 1000 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 12mOhm @ 20A, 20V