IRFD9120
零件编号：
IRFD9120
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Through Hole
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 250µA
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 场效应晶体管类型 P-Channel
- 供应商器件封装 4-HVMDIP
- 封装 / 外壳 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- 最大功耗 1.3W (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 600mOhm @ 600mA, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 18 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 390 pF @ 25 V