IMZA120R022M2HXKSA1
零件编号：
IMZA120R022M2HXKSA1
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Infineon Technologies
描述：
IMZA120R022M2HXKSA1
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 80A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
- 封装 / 外壳 TO-247-4
- 最大功耗 329W (Tc)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 最大栅源电压 +25V, -10V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 15V, 18V
- 供应商器件封装 PG-TO247-4-8
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5.1V @ 10.1mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 71 nC @ 18 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2330 pF @ 800 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 29mOhm @ 32A, 18V