GT100P06D5

GT100P06D5

零件编号： GT100P06D5
产品分类： 单管FET，MOSFET
制造商： Goford Semiconductor
描述： MOSFET P-CH 60V 60A 104W DFN5*6-
包装： Cut Tape (CT)
ROHS状态： Yes
货币： USD
PDF： 资料
  • 零件状态 Active
  • 安装类型 Surface Mount
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 最大栅源电压 ±20V
  • 场效应晶体管特性 -
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 场效应晶体管类型 P-Channel
  • 漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 9mOhm @ 15A, 10V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 60A (Tc)
  • 最大功耗 104W (Tc)
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 47 nC @ 10 V
  • 供应商器件封装 8-DFN (5x6)
  • 封装 / 外壳 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3700 pF @ 30 V

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