CGD65A130SH2
零件编号：
CGD65A130SH2
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Cambridge GaN Devices
描述：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 最大功耗 -
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 12V
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 12A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 182mOhm @ 900mA, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.2V @ 4.2mA
- 最大栅源电压 +20V, -1V
- 供应商器件封装 16-DFN (8x8)
- 封装 / 外壳 16-PowerVDFN
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.9 nC @ 12 V