Коллекция Сравнение
GPIHV30SB5L
Номер запчасти：
GPIHV30SB5L
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
GaNPower
Описание：
GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L
Упаковка：
Tube
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
RFQ Добавить в список RFQ
Запасы 1600
Отправьте запрос, мы ответим немедленно.
Быстрый запрос
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Класс
    -
  • Квалификация
    -
  • Тип монтажа
    Surface Mount
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    Die
  • Поставщик Устройство Корпус
    Die
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток (Vdss)
    1200 V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
    30A
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
    6V
  • Vgs(th) (макс.) при Id
    1.4V @ 3.5mA
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
    8.25 nC @ 6 V
  • Vgs (макс.)
    +7.5V, -12V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
    236 pF @ 400 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная)
    -
  • FET Особенности
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.