Коллекция Сравнение
GPI65007DF56
Номер запчасти：
GPI65007DF56
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
GaNPower
Описание：
GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
Упаковка：
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 1635
Минимум : 1
Количество
Стоимость единицы
Цены
1
3.5
3.5
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Класс
    -
  • Квалификация
    -
  • Тип монтажа
    Surface Mount
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток (Vdss)
    650 V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
    7A
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
    6V
  • Vgs(th) (макс.) при Id
    1.5V @ 3.5mA
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
    2.1 nC @ 6 V
  • Vgs (макс.)
    +7.5V, -12V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
    76.1 pF @ 400 V
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.