TW048U65C,RQ

TW048U65C,RQ

부품 번호: TW048U65C,RQ
제품 분류: 단일 FET, MOSFET
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
설명: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
포장: Cut Tape (CT)
ROHS 상태: 예
통화: USD
PDF: 자료
  • 부품 상태 Active
  • 장착 유형 Surface Mount
  • FET 유형 N-Channel
  • FET 피처 -
  • 등급 -
  • 자격 인증 -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss) 650 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 39A (Tc)
  • 전력 소산 (최대) 132W (Tc)
  • 작동 온도 175°C
  • 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs (최대) +25V, -10V
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V
  • 패키지 / 케이스 8-PowerSFN
  • 공급업체 장치 패키지 TOLL
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 41 nC @ 18 V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.6mA
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1362 pF @ 400 V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs 71mOhm @ 20A, 18V

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