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XP60AN750IN
부품 번호：
XP60AN750IN
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
YAGEO XSemi
설명：
MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 2600
최소 : 1
수량
단가
가격
1
2.08
2.08
50
0.99
49.5
100
0.97
97
500
0.88
440
1000
0.83
830
2000
0.8
1600
5000
0.76
3800
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3 Full Pack
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-220CFM
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    600 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    750mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    59.2 nC @ 10 V
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2688 pF @ 100 V
  • 전력 소산 (최대)
    1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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