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WI71060TR
부품 번호:
WI71060TR
제품 분류:
제조업체:
설명:
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
포장:
Cut Tape (CT)
ROHS 상태:
Yes
화폐:
USD
PDF:
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재고 4098
최소 : 1
수량
단가
가격
1
7.06
7.06
10
5.44
54.4
25
5.04
126
100
4.59
459
250
4.38
1095
500
4.25
2125
1000
4.15
4150
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    8-LDFN Exposed Pad
  • 공급업체 장치 패키지
    8-PDFN (8x8)
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    700 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    30A (Tj)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    6V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 2A, 6V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    1.5V @ 10mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    7 nC @ 6 V
  • Vgs (최대)
    +6V, -4V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    216 pF @ 400 V
  • 전력 소산 (최대)
    -
  • FET 피처
    -