모음집 비교
TPH3206PD
부품 번호：
TPH3206PD
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Transphorm
설명：
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
지금 구매 카트에 추가
재고 1616
최소 : 1
수량
단가
가격
1
11.26
11.26
50
6.32
316
100
5.85
585
500
5.38
2690
사양
  • 부품 상태
    Not For New Designs
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    600 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 11A, 8V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.6V @ 500µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    9.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs (최대)
    ±18V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    760 pF @ 480 V
  • 전력 소산 (최대)
    96W (Tc)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

제출

비어 있어요