모음집 비교
QSD6HCS65U
부품 번호：
QSD6HCS65U
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Quest Semi
설명：
SiC 6AMP 650V Schottky Barrier D
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
지금 구매 카트에 추가
재고 4600
최소 : 100
수량
단가
가격
100
0.95
95
500
0.85
425
1000
0.75
750
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    Automotive
  • 자격 인증
    AEC-Q101
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-2
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247-2
  • 속도
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 기술
    SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 전류 - 역방향 누설 @ Vr
    15 µA @ 650 V
  • 전압 - DC 역방향 (Vr) (최대)
    650 V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    21A
  • 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
    1.6 V @ 6 A
  • 정전용량 @ Vr, F
    421pF @ 0V, 1MHz
  • 동작 온도 - 접합
    -55°C ~ 175°C
  • 역복구 시간 (trr)
    0 ns
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

제출

비어 있어요