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QS1200SCM36
부품 번호：
QS1200SCM36
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Quest Semi
설명：
1200V 36AMP SiC Mosfet
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 2590
최소 : 50
수량
단가
가격
50
1.25
62.5
100
1.16
116
250
1
250
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    Automotive
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 공급업체 장치 패키지
    PG-TO247-3
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    1200 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    36A
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.8V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 20A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    3.8V @ 100µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    60 nC @ 600 V
  • Vgs (최대)
    +25V, -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1001 pF @ 800 V
  • 전력 소산 (최대)
    198W
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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