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NC1M120C12WDCU
부품 번호：
NC1M120C12WDCU
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
NovuSem
설명：
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
포장：
Tray
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 3780
최소 : 218
수량
단가
가격
218
41.22
8985.96
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 공급업체 장치 패키지
    Wafer
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    1200 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    214A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    20V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    12mOhm @ 20A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    3.5V @ 40mA
  • Vgs (최대)
    +22V, -8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    8330 pF @ 1000 V
  • 1968195384
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