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IV2Q06025T4Z
부품 번호：
IV2Q06025T4Z
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Inventchip
설명：
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 1660
최소 : 1
수량
단가
가격
1
12.48
12.48
10
8.7
87
100
6.56
656
500
6.15
3075
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-4
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247-4
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    650 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    99A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    18V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    33mOhm @ 40A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4.5V @ 12mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    125 nC @ 18 V
  • Vgs (최대)
    +20V, -5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3090 pF @ 600 V
  • 전력 소산 (최대)
    454W (Tc)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

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