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IRFD110
부품 번호：
IRFD110
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Vishay Siliconix
설명：
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
포장：
Bulk
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 1600
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사양
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급업체 장치 패키지
    4-HVMDIP
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    100 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    1A (Ta)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    540mOhm @ 600mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    8.3 nC @ 10 V
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    180 pF @ 25 V
  • 전력 소산 (최대)
    1.3W (Ta)
  • FET 피처
    -
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