모음집 비교
HTNFET-T
부품 번호：
HTNFET-T
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Honeywell Aerospace
설명：
MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
포장：
Bulk
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
RFQ RFQ 목록에 추가
재고 1600
가격 조회서를 보내 주십시오. 우리는 즉시 회답할 것입니다
빠른 가격 조회
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 225°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    4-SIP
  • 공급업체 장치 패키지
    4-Power Tab
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    55 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    -
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 100mA, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.4V @ 100µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    4.3 nC @ 5 V
  • Vgs (최대)
    10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    290 pF @ 28 V
  • 전력 소산 (최대)
    50W (Tj)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

제출

비어 있어요