모음집 비교
GE12160CEA3
부품 번호：
GE12160CEA3
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
GE Aerospace
설명：
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
포장：
Bulk
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
지금 구매 카트에 추가
재고 1612
최소 : 1
수량
단가
가격
1
8799
8799
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 자격 인증
    AEC-Q101
  • 장착 유형
    Chassis Mount
  • 파워 - 최대
    3.75kW
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    Module
  • 공급업체 장치 패키지
    Module
  • 기술
    Silicon Carbide (SiC)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    1.425kA (Tc)
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    1.5mOhm @ 475A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4.5V @ 480mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    3744nC @ 18V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    90000pF @ 600V
  • 컨피규레이션
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
  • +8613826519287

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

제출

비어 있어요