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GA05JT12-263
부품 번호：
GA05JT12-263
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
GeneSiC Semiconductor
설명：
TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 1600
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사양
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-263-7
  • FET 유형
    -
  • 기술
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    1200 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    15A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    -
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    -
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (최대)
    -
  • 전력 소산 (최대)
    106W (Tc)
  • FET 피처
    -
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