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G65P06D5
부품 번호：
G65P06D5
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Goford Semiconductor
설명：
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
포장：
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 2019
최소 : 1
수량
단가
가격
1
1.56
1.56
10
0.98
9.8
100
0.66
66
500
0.52
260
1000
0.47
470
2000
0.45
900
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerTDFN
  • 공급업체 장치 패키지
    8-DFN (4.9x5.75)
  • FET 유형
    P-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    60 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    65A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    75 nC @ 10 V
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    6138 pF @ 25 V
  • 전력 소산 (최대)
    104W (Tc)
  • FET 피처
    -
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