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G3R350MT12D
부품 번호：
G3R350MT12D
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
GeneSiC Semiconductor
설명：
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 8847
최소 : 1
수량
단가
가격
1
4.74
4.74
10
4.21
42.1
25
4.01
100.25
100
3.73
373
250
3.56
890
500
3.44
1720
1000
3.31
3310
2500
3.16
7900
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247-3
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    1200 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    15V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    420mOhm @ 4A, 15V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.69V @ 2mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    12 nC @ 15 V
  • Vgs (최대)
    ±15V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    334 pF @ 800 V
  • 전력 소산 (최대)
    74W (Tc)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
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