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G01N20LE
부품 번호：
G01N20LE
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Goford Semiconductor
설명：
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
포장：
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 2418
최소 : 1
수량
단가
가격
1
0.53
0.53
10
0.33
3.3
100
0.21
21
500
0.16
80
1000
0.14
140
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급업체 장치 패키지
    SOT-23-3
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    200 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    1.7A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    700mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    580 pF @ 25 V
  • 전력 소산 (최대)
    1.5W (Tc)
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
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