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FF06100J-7
부품 번호：
FF06100J-7
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
fastSiC
설명：
SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
포장：
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 1900
최소 : 1
수량
단가
가격
1
9.07
9.07
10
3.32
33.2
100
3.1
310
4000
3.02
12080
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 공급업체 장치 패키지
    D2PAK-7L
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    650 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    20.6A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    18V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 10A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.2V @ 14mA
  • 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
    43 nC @ 15 V
  • Vgs (최대)
    18V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1000 pF @ 400 V
  • 전력 소산 (최대)
    83W (Tc)
  • FET 피처
    -
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