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EPC7014UBSH
부품 번호：
EPC7014UBSH
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
EPC Space, LLC
설명：
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
포장：
Bulk
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 1620
최소 : 1
수량
단가
가격
1
232.4
232.4
10
222.91
2229.1
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 등급
    -
  • 자격 인증
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    4-SMD, No Lead
  • 공급업체 장치 패키지
    4-SMD
  • FET 유형
    N-Channel
  • 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss)
    60 V
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
    1A (Tc)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    580mOhm @ 1A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    2.5V @ 140µA
  • Vgs (최대)
    -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    22 pF @ 30 V
  • 전력 소산 (최대)
    -
  • FET 피처
    -
  • 1968195384
  • 86-13826519287‬
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